Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax

L. P. Romaka, Yu. V. Stadnyk, V. V. Romaka, V. Ya. Krayovskyy, P. F. Rogl, A. M. Horyn

Анотація


Встановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці rNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T).
Ключові слова: кристалічна і електронна структури, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс.

Посилання


L. P. Romaka, V. A. Romaka, Yu. V. Stadnyk, P.-F. Rogl, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn, Z. M. Rykavets, Physics and Chemistry of Solid State (Ukr.) 18(1), 41 (2017).

V. A. Romaka, P. Rogl, L. P. Romaka, Yu.V . Stadnyk, V. Ya. Krayovskyy, D. Kaczorowski, A. M. Horyn, Journal of Thermoelectricity (3), 24 (2016).

V. V. Romaka, L. P. Romaka, V. Ya. Krayovskyy, Yu. V. Stadnyk, Stannides of rare earth and transition metals (Lvivska Politekhnika, Lviv, 2015).

V. V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky, Intermetallics 35, 45 (2013).

M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G. G. Reddy, Phys. Rev. B 52, 188 (1995).

V. L. Moruzzi, J. F. Janak, A. R. Williams, Calculated electronic properties of metals (Pergamon Press, NY, 1978).

N. F. Mott, E. A. Davis, Electron processes in non-crystalline materials (Clarendon Press, Oxford, 1979).

V. A. Romaka, V. V. Romaka and Yu. V. Stadnyk, Intermetallic Semiconductors: Properties and Applications (Lvivsk. Politekhnika, Lviv, 2011).


Повний текст: PDF (English)
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.