Магнетоопір ниткоподібних кристалів Bi2Se3 при низьких температурах

N. S. Liakh-Kaguy, A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko

Анотація


Досліджено температурні залежності опору ниткоподібних кристалів Bi2Se3 легованих Pd до концентрації 1019 см-3 в діапазоні температур 4,2 - 300 К. Виявлено різке падіння опору кристалів при температурі 5,3 K. Спостережуваний ефект, ймовірно, пов'язаний із внеском двох ефектів, таких як локалізація електронів у ниткоподібних кристалах та перехід в надпровідний стан при температурі 5,3 К, що, ймовірно, є результатом присутності комплексів домішки Pd. Було вивчено поперечний магнетоопір ниткоподібних кристалів Bi2Se3 n-типу провідності з концентрацією домішки Pd, що відповідає близькості до переходу метал-діелектрик з металевого боку в магнітному полі 0 - 10 Тл. При температурі 25 К спостерігається мінімум на температурній залежності опору, що пов'язано із проявом ефекту Кондо.
Ключові слова:
ниткоподібні кристали Bi2Se3 ; поперечний магнетоопір; ефект Кондо; надпровідність.

Посилання


A. A Barlian, S. J Park, V. Mukundan, B. L. Pruitt, Sensors and Actuators A134, 77 (2007).

P. I. Baranskii, A. V. Fedosov, G. P. Gaidar, Physical properties of Si and Ge crystals in the fields of effective external influence (Lutsk, Nadstyrja, 2000) [in Ukrainian].

I. Maryamova, A. Druzhinin, E. Lavitska, I. Gortynska, Y. Yatzuk, Sensors and Actuators A85, 153 (2000).

A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko, N. S. Liakh-Kaguy, A. M. Vuytsyk, Functional Materials 21(2), 130 (2014).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, Low Temperature Physics 42, 453 (2016) [Fizika Nizkikh Temperatur 42(6), 581(2016)].

I. Khytruk, A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki, Nanoscale Research Letters 12:156 (2017).

A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, O. P. Kutrakov, Functional Materials 23(2), 206 (2016).

V. K. Shruti, P. Maurya, S. Srivastava, S. Patnaik. AIP Conference Proceedings 1731, 130046 (2016).

Y. S. Hor, A. J. Williams, J. G. Checkelsky, P. Roushan, J. Seo, Q. Xu, H. W. Zandbergen, A. Yazdani, N. P. Ong, R. J. Cava, Phys Rev Lett. 104(5) 057001 (2010).

F. M. Muntyanu, A. Gilewski, K. Nenkov, A. Zaleski, V. Chistol, Solid State Communications 147(5-6), 183 (2008).

Phuoc Huu Le, Wen-Yen Tzeng, Hsueh-Ju Chen, Chih Wei Luo, Jiunn-Yuan Lin, APL Materials 2, 096105 (2014); doi: http://dx.doi.org/10.1063/1.4894779.

Mingliang Tian, Jinguo Wang, Nitesh Kumar, Tianheng Han, Yoji Kobayashi, Ying Liu, Thomas E. Mallouk, Moses H. W. Chan, Nano letters 6(12), 2773 (2006).

Y. S. Hor, J. G. Checkelsky, D. Qu, N. P. Ong, R. J. Cava, Journal of Physics and Chemistry of Solids 72, 5 (2010).

А. N. Ionov, JETP Letters 29(1), 76 (1979).

А. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, R. M. Koretskyy, Sensors electronics and microsystem technology 3(9), 50 (2012) [in Ukrainian].


Повний текст: PDF (English)
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.