Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів

P. O. Gentsar, S. M. Levytskyi

Анотація


В даній роботі поміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs (100); твердих розчинів Ge1-хSiх (х=0,85) в діапазоні (0,2 – 1,7)·10-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі λ = 532 нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки.

Ключові слова


пропускання; відбивання; поглинання; лазерне опромінення; n-Si(100); n-GaAs (100); Ge1-xSix

Посилання


V. A. Zuev, V. G. Litovchenko, V. G. Popov, Quantum Electronics, 23, 33 (1982).

V. P. Veiko, M. N. Libenson, G. G. Chervyakov, E. B. Yakovlev, Interaction of laser radiation with matter (Fizmatlit, Moscow, 2008).

W. Julie, Laser Technology and Materials Analysis (Mir, Moscow, 1986).

P. O. Genzar, O. I. Vlasenko, S. M. Levitskyi, V. A. Gnatyuk, PCSS, 15 (4), 856 (2014).

P. O. Genzar, S. M. Levitskyi, Chemistry, Physics and Technology of the Surface, 7 (2), 186 (2016).

P. O. Genzar, O. I. Vlasenko, S. M. Levitskyi, UJP, 62 (11), 947 (2017).

P. O. Genzar, O. I. Vlasenko, S. M. Levitskyi, I. B. Yanchuk, S. R. Lavorik, PCSS, 15 (2), 303 (2014).

F. Bechstedt, R. Enderline, Surfaces and Boundaries of the Semiconductor Division (Mir, Moscow, 1990).

Problems of surface physics of semiconductors (Naukova Dumka, Kiev, 1981).

V. E. Primachenko, O. V. Snitko, Physics of a metal-doped semiconductor surface (Naukova Dumka, Kyiv, 1988).


Повний текст: PDF (English) PDF
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.