Фоточутливість Польових Транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці

S. Novosyadly, V. Gryga, A. Pavlyshyn, V. Lukovkin

Анотація


Досліджені основи і фізичні механізми, які визначають фоточутливість арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі при їх освітленні випромінювання в області домішкової смуги поглинання. Проведені експерименти показали, що характер змін струму стоку в такій структурі при освітленні визначаються типом глибоких центрів, а величина його зміни визначається в основному дією двох факторів: зміни ширини шару об’ємного заряду бар’єрного контакту та ширини дипольного шару на межі розділу активний гетероперехідний шар-Si-підкладка.Така конструкція структури ПТШ рекомендується як фотодетектор для приймальних оптичних модулів волоконно-оптичних систем передачі сигналів.

Ключові слова


ПТШ; арсенідгалій; гетероперехід

Посилання


Mizutani T. Photo-Induced Current Spectroscopy for Normally-Off GaAs MESFETs (Japanese Journal of Applied Physics, 1982).

V.I Sen’ko, M.V Panasenko Electronics and microcircuitry (Oberehy, Kyiv, 2000).

M. Shur Modern devices based on GaAs (Mir, Moscow, 1991).

F. Tian, E.F. Chor, Thin Solid Films 518(24), 121 (2010).

M.J. Sikder, P. Valizadeh, Solid-State Electronics 89, 105 (2013).

V.A. Moskalyuk, D. I. Timofeev, A.V. Fedyaj, Ultrafast electronic devices (NTUU KPI, Kyiv, 2012).


Повний текст: PDF (English) PDF
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.