Отримання і люмінесцентні властивості тонких плівок сульфоселенідів цинку

M. M. Slyotov, O. M. Slyotov

Анотація


Розглядається отримання гетерошарів сульфоселенідів цинку. Показано можливість отримання гексагональної модифікації кристалічної гратки методом ізовалентного заміщення. Досліджено λ-модульоване оптичне відбивання і визначено параметри енергетичної структури α-ZnSe, α-ZnS, α-ZnS0,45Se0,55. Встановлено, що отриманим гетерошарам властива інтенсивна фотолюмінесценція з квантовим виходом η = 8-12 % у синьо-фіолетовій області. Вона формується складовими смугами, природа яких визначається анігіляцією зв’язаних екситонів і міжзонними переходами вільних носіїв заряду. Показано, що добір температурних режимів дозволяє отримати випромінювання з максимумами ħωm у фіолетовій 2,80 еВ, синій 2,70 еВ і зеленій 2,45 еВ областях спектру. Воно визначається генераційно-рекомбінаційними переходами за участю донорних і акцепторних станів утворених власними точковими дефектами кристалічної гратки V*(Se), V'(Zn) і Zni відповідно. Обговорюються моделі випромінювальної рекомбінації.

Ключові слова


Ізoвоалентні елементи; ізотермічний відпал; гексагональна структура; гетерошари; енергетична структура; фотолюмінесценція; поляризація

Посилання


V.P. Makhniy, V.Ye. Baranyuk, M.V. Demich at all, SPIE, 4425, 272 (2000) (doi: 10.1117/12.429735).

A.N. Georgobiani, M.K. Sheinkman, Physics of A2B6 compounds (Mir, Moscow, 1986). (in Russian).

V.I. Fistul', Atoms in Semiconductors: State and Behaviour (Fizmatlit, Moscow, 2004). (in Russian).

M. Slyotov, А. Slyotov, Journal IAPGOS, 8(4), (2018) (DOI: 10.5604/01.3001.0012.7980).

V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, E.V. Stets, I.V. Tkachenko, V.V. Gorley, P.P. Horley, Thin Solid Films, 450, 222 (2004) (doi: 10.1016/j.tsf.2003.11.170).

Yu.V. Vorobyov, V.I. Dobrovolsky, V.I. Strikha, Semiconductor Research Methods (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1988) (in Russian).

T.V. Gorkavenko, S.M. Zubkova, V.A. Makara, L.N. Rusina, Semiconductors, 41(8), 886 (2007) (doi: 10.1134/S1063782607080040).

A.N. Georgobiani, Yu.V. Ozerov, I.M. Tiginianu, Proceedings FIAN, 163, 3 (1985) (in Russian).

V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov, and V. Kosolovskiy, Acta Physica Polonica A, 122(6), 1039 (2012) (doi: 10.12693/APhysPolA.122.1039).

E. Koh, D.W. Langer, J. Luminescence. 1-2, 514 (1970).

V.P. Gribkovskii, The Theory of Light Absorption and Emission in Semiconductors (Nauka i Teknika, Minsk 1975). (in Russian).

M.M. Slyotov, O.S. Gavaleshko, O.M. Slyotov, State Intellectual Property Office of Ukraine, Patent for utility model №104988, 1, (2016) (http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=220761&chapter=abstractEN).

V.V. Serdiuk, Yu.F. Vaksman, Luminescence of semiconductors (Vyshcha shkola, Kyiv-Odessa, 1988) (in Russian).

А.А. Kopylov, A.I. Pikhtin, Fizika i tekhnika poluprovodnikov – Semiconductors, 8, 2390 (1974) (in Russian).

M.M. Slyotov, A.M. Slyotov, О.S. Gavaleshko, Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 15(2), 20 (2018) (doi: 10.18524/1815-7459.2018.2.136885).


Повний текст: PDF (English) PDF
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.