Теоретичний аналіз експериментальних термоелектричних характеристик ниткоподібних кристалів на основі кремнію

A. Druzhinin, Y. Budzhak, S. Nichkalo

Анотація


У роботі показано, що коли в провідному кристалі створити електричне поле з напруженістю E та градієнт температури rT і помістити цей кристал в магнітне поле з вектором індукції B, то в ньому виникають процеси перенесення носіїв заряду і теплоти, які описуються відомими узагальненими рівняннями електропровідності і теплопровідності. Тензори і скалярні коефіцієнти, які входять в складцих рівнянь, це кінетичні властивості кристалів. Вони описують природу актуальних властивостей кристалів і мають широке прагматичне застосування в сучасній твердотілій електроніці, описується процес просторового квантування спектра та його вплив на кінетичні властивості кристалів.

Ключові слова


Потенціал Гіббса; хімічний потенціал; закон дисперсії; віскер; термоелектрика

Посилання


B. M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1994).

H. Haug, A.-P. Jauho, Quantum Kinetics in Transport and Optics of Semiconductors (Springer, 1996).

O. Madelung, Physics of III-V Compounds (Wiley, New York, 1964).

K. Seeger, Semiconductor Physics (Springer–Verlag Wien, New York, 1973).

P. Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties (Springer, 2010).

T. Pustelny, A. Opilski, B. Pustelny, Acta Physica Polonica A 114(6 A), A183 (2008).

Ya. S. Budzhak, T. Waclawski, Physics and Chemistry of Solid State 19(2), 134 (2018) (doi: 10.15330/pcss.19.2.134-138).

Ya. S. Budzhak, Physics and Chemistry of Solid State 19(3), 217 (2018) (doi: 10.15330/pcss.19.3.217-221).

Ya. S. Budzhak, A. O. Druzhinin, T. K. Waclawski, Physics and Chemistry of Solid State 20(2), 133 (2019) (doi: 10.15330/pcss.20.2.133-138).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk, Physica Status Solidi C 8(3), 867 (2011) (doi: 10.1002/pssc.200900266).

A. P. Dolgolenko, A. A. Druzhinin, A. Ya. Karpenko, S. I. Nichkalo, I. P. Ostrovsky, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 14(4), 456 (2011).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy et al., Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 10445, Article number 1044556 (2017) (doi: 10.1117/12.2280895).


Повний текст: PDF (English) PDF
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.