Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4x2)

O. I. Tkachuk, M. I. Terebinska, V. V. Lobanov

Анотація


Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 3d5/2 остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4x2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні.

Посилання


M. G. Gomojunova, I. I. Pronin, Zhurnal tehnicheskoj fiziki 74(10), 1 (2004).

A. A. Shkljaev, M. Ichikava, Uspehi fizicheskih nauk 176(9), 913 (2006).

F. A. Cotton, G. Wilkinson, J. Wiley and Sons, New York. London, Sidney 2, 494 (1969).

F. Ratto, A. Locatelli, S. Fontana, S. Kharrazi, S. Ashtaputre, S. K. Kulkarni, S. Heun, and F. Rosei, Phys. Rev. Lett. 96, 1 (2006).

A. Cohen Simonsen, M. Schleberger, S. Tougaard, J. L. Hansen, A. Nylandsted Larsen, Thin Solid Films 338, 165 (1999).

K. Zigban, K. Norling, A. Fal'man et al. Jelektronnaja spektroskopija (Mir, M. 1971).

D. Briggs, M. P. Sih, Analiz poverhnosti metodami Ozhe- i rentgenovskoj fotojelektronnoj spektroskopii (Mir, M. 1987).

Ju. A. Teterin, S. G. Gagarin, Uspehi himii 895 (1996).

M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz et al. J. Comput. Chem. 14 (11), 1347 (1993).

R. G. Parr, W. Yang, Density-functional theory of atoms and molecules. Oxford: Oxford Univ. Press, (1989).

A. D. Becke, Phys. Rev. A 38(6), 3098 (1988).

O. І. Tkachuk, M. І. Terebіnska, V. V. Lobanov, Poverhnost'. 5(20), 26 (2013).


Повний текст: PDF
7 :: 16

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.