Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС

S. P. Novosyadlyi, V. S. Huzik

Анотація


Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).

Посилання


S.P. Novosjadlij, Sub-і nanomіkronnatehnologіja struktur VІS (Mіsto NV, Іvano-Frankіvs'k, 2010).

Arsenіd galіju v mіkroelektronіcі. Pіd red. D. Ajnsoruna, (1988).

S.P. Novosjadlij, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 3(4), 710 (2002).

U. Tіll, Integral'nie shemi. Materialy, pribory, izgotovlenie. Per s ang, pod..red. M.V. Gal'nezna (Mir, Moskva, 1981).

S.P. Novosjadlij, V.M. Berezhans'kij, Shіdno-Evropejs'kij zhurnal peredovih tehnologіj 1(25), 40 (2007).

S.P. Novosjadlij, Shіdno-Evropejs'kij zhurnal peredovih tehnologіj 4/5(64), 1 (2013).

S.P. Novosjadlij, Ju.V. Voznjak, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 2(13), 416 (2012).


Повний текст: PDF
7 :: 16

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.