Схемотопологічне моделювання перетворювачів рівнів сигналів для аналітичних мікросистем-на-кристалі

V. V. Dovgiy, I T. Kohut, V. I. Holota

Анотація


В роботі наведено результати схемотопологічного проектування і комп’ютерного моделювання перетворювачів рівнів сигналу для інтегральних схем та аналітичних мікросистем на базовому матричному кристалі (БМК) зі структурами «кремній-на-ізоляторі» (КНІ).

Ключові слова: перетворювач рівнів сигналу, структура «кремній-на-ізоляторі», базовий матричний кристал, аналітична мікросистема-на-кристалі.


Посилання


І. T. Kogut, A. O. Druzhinіn, V. І. Golota, V. V. Dovgij, Elementi analіtichnih mіkrosistem-na-kristalі na osnovі trivimіrnih KNІ-struktur. Zbіrnik tez 5-toї ukraїns'koї nauk. konferencії z fіziki napіvprovіdnikіv (Uzhgorod, Ukraїna, 2011). S. 190.

Web source: http://www.penzar.com/topspice/topspice.htm.

Patent of Ukraine na N 62994. Komіrkabazovogo matrichnogo kristala / Druzhinіn A.O., Kogut І.T., Golota V.І., Hoverko Ju.M., Dovgij V.V., Vujcik A.M. Podano 18.02.2011. Zajavka u201101326. Opubl. 26.09.2011, bjul. №18/2011.

I. T. Kogut, V. V. Dovhij, Layouts features of SOI CMOS gate matrix arrays / Materials of ICPTTFN–XIII, International conference, Physics and technology of thin films and nanosystems (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2011). P.275.

Web-source: http://www.microwind.org.


Повний текст: PDF
7 :: 16

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.